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细心的玩友一定不难发现，近来似乎报告360机器“E74了”的帖子多起来了，同时可以发现这种报
告大多发生在所谓的65nm新版机器上，而现象是未出现三红直接首先E74
。虽然也看到了一些65nm机报告三红的，但似乎那种三红大多是所谓的“假三红”，通过重启、重插电源、视频线等的菜鸟级操作就可以排除的。于是，有网友
称，65nm是不会三红的！！这种说法虽然底气并不昂扬，但暂时看来还是有一定现实根据的。可我们还没有看到有人说，“65nm机器会出现E74是胡说”
的。
我在上一篇帖子【“北京的德国夫妇修理三红法”究竟是何东东？】中曾经讨论了360出现三红故障的部分原因，显然那是针对
90nm的老版机而分析的。在所谓的65nm的新版机器上，除了MS作出了电路上的明显更改：改原来的三相供电为两相供电、修改了显存芯片数量等电参数
外，最大的结构改进有两点：一是在GPU和CPU芯片焊盘外缘用环氧树脂采取了芯片与基板之间的加固；二是增加了热管副散热片以增强GPU的散热。这两种
更改显然是MS作出的针对消除三红的“有效”改进，事实上也是会具有一定的效果的。但MS可能没有想到，这两种灭三红的措施却可能都会助长出现E74的风
险！为何如是说呢？下面我们来分析一下。
１．从基板的热膨胀变形情况来看
增加了防脱焊的树脂加固后，基板沿水平
方向热膨胀的自由伸展被制约了，芯片外缘脱开也被制约住了，芯片部分的局部热膨胀无法自由地沿水平方向伸展出去，只能更加以鼓突的方式在垂直于版面的方向
上变形。在这种制约下，显然芯片与基板之间在靠芯片中心的位置因热膨胀导致的相互分离的趋势反而大大增加了。如果此时底部的X扣具弹力仍然象原来老版机器
一样，可能就会出现弹力不够的情况，更遑论MS了解了我在“德国夫妇”文章中分析到了的X扣具弹力偏大的原始设计的问题，因而在新版机器上减小了X扣具的
设计弹力了。（在此建议拆开过65nm机的网友帮我作一仔细测量：请测量下图中A、B两个尺寸！如果有条件的网友，也希望同时对比测量原来90nm版机器
中的X扣具的同样部位的尺寸。并希望将测量结果对比上贴贴上来以利大家分析问题。如果A、B两个尺寸的测量结果确实显示65nm机的Ｘ扣具小于90nm机
的，那么就说明MS确实认可了“拆X扣具修理三红法”的技术原理的可行性，并确实作出了修改了。）
因此说，芯片与主板间制约外缘热膨胀变形的情形更改了的情况下，GPU芯片靠中心部位脱焊趋势反而增大了，结果机器不再三红，而转为E74了！即，新版机降低了外缘焊点脱焊的结果是以增大了中心部焊点脱焊风险为代价的。
２．从芯片与基板的温度分布情况来看
一般人们仅仅从电气参数方面考虑了散热对机器性能的有利一面，因而疯狂地投入人力和财力追求强化冷却，但却忽略了温度分布对主板变形情况的影响。事实
上，现有任何冷却方式都无法直接冷却芯片位置的主板背面处。芯片的巨大发热藉由数百个锡焊焊点的良好导热传递到主板及其背面上的热量是无法被流畅的散发出
去的。这样就会出现主板正面的温度反而低于主板背面温度的情况。你采用的加风扇、加水冷、加修罗等冷却措施却反而会加大这种主板正、反面的温差。在这种温
度分布的情形下，主板上芯片中心部位显然是具有着向下凹陷的固有趋势的。上部的冷却越强，这种向下凹陷的趋势就越大，E74出现的可能性也就越大。因此，
当你洋洋得意于加了冷却后“我机的散热片温度只有XX度”时，未曾想到可能E74恶魔正在一旁盯着你狞笑呢......。我认为，其实，360关于散热温
控电路的设计是应该可以防止一般性过热的，届时该电路是可以通过自动加速风扇转速来强制冷却的，玩家无需过分追求附加的强制散热。至于360表现为我们的
常识告诉我们的“过热”现象，其实可能大多数都不是真正由于芯片过热而引起的，而是芯片焊点的失效、电流传输状况的恶化而出现的情况。关于这一点，另外成
文讨论。
从MS在新版65nm机的两个主要的结构改进可见，65nm的新版机三红趋势减小了，但E74的趋势增大了。那么我
们针对这样一种新的机况，在平时使用机器的方式上也应该作出相应的调整。针对90nm的老版机，我们说不要长时间静置不玩而防止三红，那么对于新版机，如
果出现了E74情况，可能较长时间的静置不要开机，使得由X扣的弹力的修正作用得以充分施展是可以暂时修复这种E74的。对于老版机，我们建议参照德国夫
妇法，预先减小一点X扣具的弹力是对防止三红有利的，那么对于新版机，我们就应该预先加大一点X扣具的弹力较为有利了。采用这些措施的根据，在上面的叙述
中都已经阐明了，大家仔细去思考一下是不难明白的。
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——————以上转至煨皮大本营 XBOX360讨论区 gulf 之贴。
告大多发生在所谓的65nm新版机器上，而现象是未出现三红直接首先E74
。虽然也看到了一些65nm机报告三红的，但似乎那种三红大多是所谓的“假三红”，通过重启、重插电源、视频线等的菜鸟级操作就可以排除的。于是，有网友
称，65nm是不会三红的！！这种说法虽然底气并不昂扬，但暂时看来还是有一定现实根据的。可我们还没有看到有人说，“65nm机器会出现E74是胡说”
的。
我在上一篇帖子【“北京的德国夫妇修理三红法”究竟是何东东？】中曾经讨论了360出现三红故障的部分原因，显然那是针对
90nm的老版机而分析的。在所谓的65nm的新版机器上，除了MS作出了电路上的明显更改：改原来的三相供电为两相供电、修改了显存芯片数量等电参数
外，最大的结构改进有两点：一是在GPU和CPU芯片焊盘外缘用环氧树脂采取了芯片与基板之间的加固；二是增加了热管副散热片以增强GPU的散热。这两种
更改显然是MS作出的针对消除三红的“有效”改进，事实上也是会具有一定的效果的。但MS可能没有想到，这两种灭三红的措施却可能都会助长出现E74的风
险！为何如是说呢？下面我们来分析一下。
１．从基板的热膨胀变形情况来看
增加了防脱焊的树脂加固后，基板沿水平
方向热膨胀的自由伸展被制约了，芯片外缘脱开也被制约住了，芯片部分的局部热膨胀无法自由地沿水平方向伸展出去，只能更加以鼓突的方式在垂直于版面的方向
上变形。在这种制约下，显然芯片与基板之间在靠芯片中心的位置因热膨胀导致的相互分离的趋势反而大大增加了。如果此时底部的X扣具弹力仍然象原来老版机器
一样，可能就会出现弹力不够的情况，更遑论MS了解了我在“德国夫妇”文章中分析到了的X扣具弹力偏大的原始设计的问题，因而在新版机器上减小了X扣具的
设计弹力了。（在此建议拆开过65nm机的网友帮我作一仔细测量：请测量下图中A、B两个尺寸！如果有条件的网友，也希望同时对比测量原来90nm版机器
中的X扣具的同样部位的尺寸。并希望将测量结果对比上贴贴上来以利大家分析问题。如果A、B两个尺寸的测量结果确实显示65nm机的Ｘ扣具小于90nm机
的，那么就说明MS确实认可了“拆X扣具修理三红法”的技术原理的可行性，并确实作出了修改了。）
因此说，芯片与主板间制约外缘热膨胀变形的情形更改了的情况下，GPU芯片靠中心部位脱焊趋势反而增大了，结果机器不再三红，而转为E74了！即，新版机降低了外缘焊点脱焊的结果是以增大了中心部焊点脱焊风险为代价的。
２．从芯片与基板的温度分布情况来看
一般人们仅仅从电气参数方面考虑了散热对机器性能的有利一面，因而疯狂地投入人力和财力追求强化冷却，但却忽略了温度分布对主板变形情况的影响。事实
上，现有任何冷却方式都无法直接冷却芯片位置的主板背面处。芯片的巨大发热藉由数百个锡焊焊点的良好导热传递到主板及其背面上的热量是无法被流畅的散发出
去的。这样就会出现主板正面的温度反而低于主板背面温度的情况。你采用的加风扇、加水冷、加修罗等冷却措施却反而会加大这种主板正、反面的温差。在这种温
度分布的情形下，主板上芯片中心部位显然是具有着向下凹陷的固有趋势的。上部的冷却越强，这种向下凹陷的趋势就越大，E74出现的可能性也就越大。因此，
当你洋洋得意于加了冷却后“我机的散热片温度只有XX度”时，未曾想到可能E74恶魔正在一旁盯着你狞笑呢......。我认为，其实，360关于散热温
控电路的设计是应该可以防止一般性过热的，届时该电路是可以通过自动加速风扇转速来强制冷却的，玩家无需过分追求附加的强制散热。至于360表现为我们的
常识告诉我们的“过热”现象，其实可能大多数都不是真正由于芯片过热而引起的，而是芯片焊点的失效、电流传输状况的恶化而出现的情况。关于这一点，另外成
文讨论。
从MS在新版65nm机的两个主要的结构改进可见，65nm的新版机三红趋势减小了，但E74的趋势增大了。那么我
们针对这样一种新的机况，在平时使用机器的方式上也应该作出相应的调整。针对90nm的老版机，我们说不要长时间静置不玩而防止三红，那么对于新版机，如
果出现了E74情况，可能较长时间的静置不要开机，使得由X扣的弹力的修正作用得以充分施展是可以暂时修复这种E74的。对于老版机，我们建议参照德国夫
妇法，预先减小一点X扣具的弹力是对防止三红有利的，那么对于新版机，我们就应该预先加大一点X扣具的弹力较为有利了。采用这些措施的根据，在上面的叙述
中都已经阐明了，大家仔细去思考一下是不难明白的。
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